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CsI闪烁晶体

  • 衰减时间快:16ns
  • 发射峰值位于 315nm
  • 光输出低于 CsI(Tl) 和 CsI(Na)
  • 采用布里奇曼法生长,最大尺寸为直径 90mm x 长度 300mm 及以上
  • 高阻止本领
  • CsI 一维线阵列、CsI 二维平面阵列、CsI(Tl) 和 CsI(Na) 也可供选择
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基本性质:

密度(g/cm3)4.51熔点(°C)621
解理面硬度(莫氏)2
吸湿性略有发射峰折射率1.95
发射峰波长(nm)315下波长截止(nm)260
衰减时间 (ns)16光产额 (光子/Mev/γ)2x10^3
热膨胀系数 (K^-1)49x10^-6光电子产额 (NaI(Tl) 的百分比) (γ 射线)4~6
余辉 (20ms 后) (%)2x10^3


纯 CsI、CsI(Tl) 和碘化铯(钠):

Emission Spectrum of pure CsI, CsI(Tl) and CsI(Na)

CsI(碘化铯)闪烁晶体属于CsI闪烁体类,其发光光谱位于紫外和可见光波长区域之间。未激活的CsI闪烁体的发射峰位于310-420nm之间,具体取决于辐射相互作用和激发源。与掺杂的CsI(例如CsI(Tl)或CsI(Na))相比,其光输出适中,但仍足以满足某些探测应用的需求。

与掺杂的CsI(Tl)和CsI(Na)相比,纯CsI闪烁晶体最显著的优势在于其极短的衰减时间,使其在快速定时应用中表现出色。此外,未掺杂的CsI闪烁晶体还具有独特的快发光和慢发光成分组合。其发射光由峰值在305nm左右的快速本征发光(10ns)和峰值在350-600nm左右的慢速发光(100-4000ns)组成。10ns的快速发光成分使纯CsI成为时间敏感测量的理想选择。

此外,CsI晶体是一种高原子序数的致密材料,具有高阻止本领,除了快速计时特性和良好的抗辐射性能外,CsI还成为高能物理实验的理想选择。

相对于掺杂Tl的CsI或掺杂Na的CsI,未掺杂CsI的缺点是纯CsI晶体的光输出低于CsI(Tl)和CsI(Na),因此当时间分辨率优先于光输出时,通常选择纯CsI。纯 CsI 的另一个缺陷是其发射光谱可能与光电探测器不太匹配。

CsI 晶体是一种柔软且具有延展性的材料,没有解理面,这使其具有坚固的特性,非常适合测井、空间研究或其他会遇到严重冲击条件的应用。纯 CsI 的吸湿性也比 CsI(Tl) 低得多(但是,它仍然可以受益于保护涂层或封装)。

杭州煦和光电供应定制 CsI 闪烁晶体,最大尺寸为直径 90 毫米 x 长度 300 毫米及以上,本页重点介绍我们的未掺杂的 CsI,同时我们还提供掺杂 CsI(Tl)/铊的 CsI 和掺杂 CsI(Na)/钠的 CsI。 CsI(Tl) 晶体最大可生长至 400mm x 400mm x 100mm。Shalom EO 的无掺杂 CsI 晶体具有优异的闪烁特性,发射峰值波长为 315nm,具有高阻止功率和快速的定时边沿。CsI 晶体的衰减时间为 16ns,针对需要精确定时的高能、核能、空间和医学物理等特殊应用进行了优化。

在 Shalom EO,我们采用注重环保的布里奇曼法进行批量 CsI 生长。我们凭借行业专业知识和强大的制造能力,能够根据您的特定需求定制形状和尺寸的晶体,并在每个制造阶段严格保证质量。我们提供定制形状和尺寸的晶体、反射器,并可集成兼容的电子设备或光电探测器(PMT、SiPM 或 PD)。我们还提供CsI 一维线阵列和 CsI 二维平面阵列


应用说明:您可以转到资源选项卡查看CsI、CsI(Na) 和 CsI(Tl) 属性比较图表

CsI、CsI(Tl)、CsI(Na) 性能对比表:

参数CsI(Tl)CsI(Na)CsI(未掺杂)
密度4.514.514.51
熔点 (°C)621621621
热膨胀系数(K^-1)54x10^-649x10^-649x10^-6
解理面
硬度(莫氏)222
吸湿性略有略有
发射峰值波长(nm)550420315
较低截止波长 (nm)320300260
发射最大值时的折射率1.791.841.95
衰减时间 (μs)10.630.016
余辉 (20ms 后) (%)<0.5 (正常)0.5~5.0/
光输出(光子/兆电子伏/γ)52~56x10^338~44x10^32x10^3
光电子产额(NaI(Tl) 的百分比)(γ射线)45854~6
CsI(Na)闪烁晶体

CsI(Na)闪烁晶体

  • 发射峰值为 420nm,与光电倍增管 (PMT) 完美匹配
  • 最大尺寸:100x100x400mm
  • 高光输出、机械和温度稳定性
  • 高密度,有助于提高 γ 射线的阻止能力
  • 提供封装的 CsI(Na) 和互补的 PMT
  • 应用:测井、空间研究和其他恶劣环境应用
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CsI(Tl)闪烁晶体

CsI(Tl)闪烁晶体

  • 最大尺寸可达 400mm x 400mm x 100 mm
  • 我们可以提供多种特殊形状和设计的 CsI(Tl),例如中心带孔的 CsI(Tl)/形状良好的 CsI(Tl),以及单窗口或多窗口的 CsI(Tl) 闪烁体。
  • 超高光输出,平均 52 光子 keV
  • 良好的 γ 射线阻止能力和抗辐射性能
  • 发射峰值位于 550nm,与光电二极管匹配良好
  • 坚固的物理特性
  • 可提供低余辉 CsI(Tl)。除了 CsI(Tl) 块体晶体外,我们还提供 CsI(Tl) 闪烁屏和 CsI(Tl) 闪烁体阵列。
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CsI(Tl)闪烁晶体(低余辉)

CsI(Tl)闪烁晶体(低余辉)

  • 高光输出
  • 坚固耐用,耐机械冲击
  • 低余辉版本(0.05~0.39% @20ms,该值可根据要求定制)
  • 应用:核辐射探测、安全和工业检查、医学CT等
  • 可提供CsI(Tl)块体晶体、CsI(Tl)闪烁屏和CsI(Tl)闪烁体阵列
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